Самсунг начала производство чипов памяти на 512 Гб для телефонов

Не так давно уполномоченные Самсунг сказали о создании флеш-памяти стандарта Universal Flash Storage (eUFS) с рекордным объемом 512 ГБ, а кроме этого заявили о планах устанавливать ее в свои грядущие мобильные устройства.

Новая память имеет те же физические размеры, что и модуль 256 Гб, что является хорошим решением из-за нехватки места в телефоне.

Новая память Самсунг 512Gb eUFS представляет из себя лучшее решение для обновленного поколения телефонов и преодолевает вероятные ограничения производительности системы, которые появляются при использовании microSD-карт памяти. Увеличенная емкость eUFS обеспечит значительно более обширный мобильный опыт. Разница внутри — новые памяти были построены с 64-слойных чипов, в то время как старшие использовали 48-слойных микросхемы.

Объём 512 ГБ даст возможность хранить на мобильном устройстве около 130 видеороликов длительностью 10 мин. каждый в разрешении Ultra HD (3840х2160 точек).

Кроме того, компания Самсунг планирует регулярно увеличивать объемы производства собственных 64-слойных чипов 512 Гб V-NAND, помимо расширения производства чипов 256 Гб V-NAND.

Считанные мин. назад компания Самсунг официально анонсировала новейшую флеш-память для портативной электроники. Это в десять раз больше, нежели на гаджете с накопителем на 64 ГБ.

512-гигабайтный накопитель Самсунг обеспечивает скорость последовательного чтения на уровне 860 Мбайт/с и скорость последовательной записи на уровне 255 Мбайт/с. На перенос Full HD-ролика объемом в 5 Гбайт на SSD-накопитель уходит около пяти секунд. Это приблизительно в 400 раз скорее скорости в 100 IOPS у обыденных карт microSD.

UFS 2.1


Новости за сегодня:


Обсуждение по теме: